- Форм-фактор
- DIMM
- Тип памяти
- DDR-4
- Объем одного модуля
- 4 Гб
- Пропускная способность
- 19200 Мб/с
- CAS Latency (CL)
- 17
- Напряжение питания
- 1.2 В
Оперативная память Samsung представляет собой незаменимый компонент, способный гарантировать быстродействие ПК и его стабильность в обработке данных. Память DDR4 имеет объем 4 ГБ, что позволяет с комфортом работать в текстовых, графических приложениях, открывать игровые приложения, не опасаясь, что в работе ПК возникнут проблемы, связанные с зависанием системы.
Похожие модели
Оперативная память для ноутбука 8Gb (2x4Gb) PC3-10600 1333MHz DDR3 SO-DIMM CL9 Kingston KVR13S9S8K2/8 KVR13S9S8K2/8 CL9
3 240 руб
Описание отсутствует
Память оперативная DDR4 Corsair 8Gb 2133MHz (CMV8GX4M1A2133C15)
3 320 руб
Память оперативная DDR4 CORSAIR 8Gb 2133MHz (CMV8GX4M1A2133C15): Тип памяти DDR4. Форм-фактор DIMM 288-контактный. Тактовая частота 2133 МГц. Пропускная способность 17000 Мб/с.
Kingston DDR3 8GB 1333MHz Kit (2x4GB) HyperX FURY Black Series (HX313C9FBK2/8) - Память для компьютера
3 338 руб
Kingston HX313C9FBK2/8 - 2 модуля памяти DDR3, объем модуля 4 Гб, форм-фактор DIMM, 240-контактный, частота 1333 МГц, радиатор для дополнительного охлаждения, CAS Latency (CL): 9.
Оперативная память Kingston DDR 4 8GB 2400 МГц KVR24N17S8/8
3 495 руб
Оперативная память Kingston DDR4 предназначена для использования в настольных компьютерах и рабочих станциях. Большая тактовая частота и малое энергопотребление позволяют ей значительно увеличивать пр...
Модули памяти PATRIOT Модуль Viper Elite II PVE248G360C0 DDR4 - 8ГБ 3600, DIMM, Ret
3 390 руб
288-pin; частота: 3600; латентность: CL20; форм-фактор: DIMM; оснащается радиатором для эффективного охлаждения, тип поставки: Ret
Модули памяти KINGSTON Модуль Fury Impact KF432S20IB/8 DDR4 - 8ГБ 3200, SO-DIMM, Ret
3 590 руб
260-pin; частота: 3200; латентность: CL20; форм-фактор: SO-DIMM; тип поставки: Ret
Patriot Memory PVE48G280C6KRD - Память для компьютера
3 176 руб
Patriot Memory PVE48G280C6KRD - DDR4 2800 (PC 22400) DIMM 288 pin, 2x4 Гб, 1.2 В, CL 16
